ZXMN6A11ZTA

Diodes Incorporated

ZXMN6A11ZTA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 40 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSOT-89-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)