ZXMN6A09DN8TC

Diodes Incorporated

ZXMN6A09DN8TC

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 8.2A, 10V
Basis-TeilenummerZXMN6
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1407pF @ 40V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Power - Max1.25W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)