ZXMN3B01FTC

Diodes Incorporated

ZXMN3B01FTC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds258 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Max. Verlustleistung625mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)