ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Max. Verlustleistung2.15W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)