ZXMN2AMCTA

Diodes Incorporated

ZXMN2AMCTA

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN

Aktiv8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 4A, 4.5V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds299pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Power - Max1.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN3020B-8

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101