ZXMN2A04DN8TA

Diodes Incorporated

ZXMN2A04DN8TA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Basis-TeilenummerZXMN2
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1880pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.9A
Power - Max1.8W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)