ZXMN2A01E6TC

Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

ObsoletSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds303 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)