ZXMN10A08E6TC

Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 3.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405 pF @ 50 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-26

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)