ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 3.2A, 10V
Basis-TeilenummerZXMN10
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 50V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A
Power - Max1.25W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)