ZXMN10A07ZTA

Diodes Incorporated

ZXMN10A07ZTA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds138 pF @ 50 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSOT-89-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)