ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

ZXMHN6A07T8TA

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

ObsoletSOT-223-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.8A, 10V
Basis-TeilenummerZXMHN6A07T8
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A
Power - Max1.6W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-223-8
Hersteller-GehäuseSM8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)