ZXMHC6A07N8TC

Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.8A, 10V
Basis-TeilenummerZXMHC6A07
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V, 141pF @ 50V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.39A, 1.28A
Power - Max870mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)