ZXMHC3F381N8TC

Diodes Incorporated

ZXMHC3F381N8TC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerZXMHC3F381
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 15V, 670pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.98A, 3.36A
Power - Max870mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)