ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8TC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
Basis-TeilenummerZXMHC10A07
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds138pF @ 60V, 141pF @ 50V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA, 680mA
Power - Max870mW

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)