ZXMC4A16DN8TC

Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TC

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Basis-TeilenummerZXMC4A16
KonfigurationN and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250mA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Power - Max2.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)