ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated

ZXMC3AM832TA

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Obsolet8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Basis-TeilenummerZXMC3
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A, 2.1A
Power - Max1.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-MLP (3x2)