ZXMC3A18DN8TA

Diodes Incorporated

ZXMC3A18DN8TA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.8A, 10V
Basis-TeilenummerZXMC3
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A, 4.8A
Power - Max1.8W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)