ZXM62P02E6TA

Diodes Incorporated

ZXM62P02E6TA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)