ZVP4525E6TA

Diodes Incorporated

ZVP4525E6TA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds73 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±40V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C197mA (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)