ZVNL110ASTOA

Diodes Incorporated

ZVNL110ASTOA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

ObsoletE-Line-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C320mA (Ta)
Max. Verlustleistung700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseE-Line-3
Hersteller-GehäuseE-Line (TO-92 compatible)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)