ZVN4210GTA

Diodes Incorporated

ZVN4210GTA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

AktivTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Basis-TeilenummerZVN4210
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)