ZVN3310ASTZ

Diodes Incorporated

ZVN3310ASTZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

AktivE-Line-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerZVN3310
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung625mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseE-Line-3
Hersteller-GehäuseE-Line (TO-92 compatible)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)