US1MDF-13

Diodes Incorporated

US1MDF-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Aktiv2-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerUS1M
Capacitance @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
SerieD-FLAT
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case2-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseD-Flat

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C