RS1JDF-13

Diodes Incorporated

RS1JDF-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Aktiv2-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRS1J
Capacitance @ Vr, F6pF @ 4V, 1MHz
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)250 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 600 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case2-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseD-Flat

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C