GBP808N

Diodes Incorporated

GBP808N

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBP TUB

Aktiv4-SIP, GBPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Diode TypeSingle Phase
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.05 V @ 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 800 V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-SIP, GBP
Hersteller-GehäuseGBP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)