GBJS4010

Diodes Incorporated

GBJS4010

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJS TU

Aktiv4-SIP, GBJAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Diode TypeSingle Phase
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 20 A
Voltage - Peak Reverse (Max)1 kV
Current - Average Rectified (Io)40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-SIP, GBJ
Hersteller-GehäuseGBJS

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)