DXTP58100CFDB-7

Diodes Incorporated

DXTP58100CFDB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PNP 100V 2A 3DFN

Aktiv3-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDXTP58100
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic185mV @ 200mA, 2A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 500mA, 2V
Power - Max690 mW
Frequency - Transition135MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-3 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)