DXTN3C100PDQ-13

Diodes Incorporated

DXTN3C100PDQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SS Low Sat Transistor PowerDI506

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDXTN3C100
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Transistor Type2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic330mV @ 300mA, 3A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Current - Collector (Ic) (Max)3A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 500mA, 10V
Power - Max1.47W
Frequency - Transition130MHz

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8 (Type UXD)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101