DSS4160FDBQ-7

Diodes Incorporated

DSS4160FDBQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SS Low Sat Transistor U-DFN2020

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDSS4160
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
Transistor Type2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic240mV @ 50mA, 1A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce290 @ 100mA, 2V
Power - Max405mW
Frequency - Transition175MHz

Mechanisch

Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101