DMTH8030LPDWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH8030LPDWQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 10A, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds631pF @ 40V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.5A (Tc)
Power - Max3.1W (Ta), 41W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8 (Type UXD)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101