DMTH8012LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH8012LPSQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2051 pF @ 40 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 72A (Tc)
Max. Verlustleistung2.6W (Ta), 136W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101