DMTH8008LFG-7

Diodes Incorporated

DMTH8008LFG-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2254 pF @ 40 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 70A (Tc)
Max. Verlustleistung1.2W (Ta), 50W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)