DMTH6015LDVW-13

Diodes Incorporated

DMTH6015LDVW-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerDMTH6015
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds825pF @ 30V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A (Ta), 24.5A (Tc)
Power - Max1.46W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXD)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)