DMTH4M70SPGW-13

Diodes Incorporated

DMTH4M70SPGW-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

AktivSOT-1235Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10053 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C460A (Tc)
Max. Verlustleistung5.6W (Ta), 428W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1235
Hersteller-GehäusePowerDI8080-5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)