DMTH45M5SPSW-13

Diodes Incorporated

DMTH45M5SPSW-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1083 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 72W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8 (Type UX)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)