DMTH45M5LFVWQ-7

Diodes Incorporated

DMTH45M5LFVWQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds978 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 71A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 51W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101