DMTH4014LFVW-7

Diodes Incorporated

DMTH4014LFVW-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.7mOhm @ 20A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta), 57.7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)