DMTH4008LFDFWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH4008LFDFWQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1030 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.6A (Ta)
Max. Verlustleistung990mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101