DMTH4001STLWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH4001STLWQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13185 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
Max. Verlustleistung6W (Ta), 300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101