DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

DMT6018LDR-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8.2A, 10V
Basis-TeilenummerDMT6018
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds869pF @ 30V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta)
Power - Max1.9W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseV-DFN3030-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)