DMT6017LFV-7

Diodes Incorporated

DMT6017LFV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds891 pF @ 30 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Max. Verlustleistung2.12W (Ta), 39.06W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UX)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)