DMT5012LFVW-7

Diodes Incorporated

DMT5012LFVW-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds738 pF @ 30 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.7A (Ta), 51.4A (Tc)
Max. Verlustleistung2.7W (Ta), 51.4W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)