DMT47M2SFVW-7

Diodes Incorporated

DMT47M2SFVW-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds897 pF @ 20 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Max. Verlustleistung2.67W (Ta), 27.1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)