DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

DMT47M2LDV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerDMT47
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds891pF @ 20V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Power - Max2.34W (Ta), 14.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXC)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)