DMT35M4LFVW-7

Diodes Incorporated

DMT35M4LFVW-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds982 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 60A (Tc)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)