DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

DMT3022UEV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 11A, 10V
Basis-TeilenummerDMT3022
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds903pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Power - Max900mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXD)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)