DMT3020UFDB-13

Diodes Incorporated

DMT3020UFDB-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 6A, 10V
Basis-TeilenummerDMT3020
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds383pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Power - Max860mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)