DMT3020LDV-7

Diodes Incorporated

DMT3020LDV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 9A, 10V
Basis-TeilenummerDMT3020
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds393pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Power - Max900mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXC)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)