DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

DMT3011LDT-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V
Basis-TeilenummerDMT3011
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds641pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 10.7A
Power - Max1.9W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseV-DFN3030-8 (Type K)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C (TJ)