DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

DMT3009LDT-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Basis-TeilenummerDMT3009
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A
Power - Max1.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseV-DFN3030-8 (Type K)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)